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Si4812BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 thru 4 V
50
40
30
20
T C = 125 °C
10
0
3V
10
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.030
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1300
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1040
780
520
260
0
C rss
C oss
C iss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 9.5 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 9.5 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73038
S-83039-Rev. D, 29-Dec-08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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